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    LED光源在照明領(lǐng)域發(fā)揮更大作用的途徑探討

    時(shí)間:2015-09-17 19:42來源:未知 作者:m.ankarayapitasarim.com 點(diǎn)擊:

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    旭高照明對LED光源在照明領(lǐng)域發(fā)揮更大作用的途徑探討提供了獨(dú)特的理解,
    半導(dǎo)體照明光源(這里主要指的是LED光源)現(xiàn)已經(jīng)批量進(jìn)入照明領(lǐng)域,但還是出現(xiàn)了不少問題,主要是能效、可靠性、光色質(zhì)量以及成本等問題。有關(guān)能效和光色質(zhì)量所涉及的內(nèi)容很豐富,比如視覺舒適度、智能化調(diào)光控制等,在此我們暫不描述。本文將討論急需解決的
      

     半導(dǎo)體照明光源(這里主要指的是LED光源)現(xiàn)已經(jīng)批量進(jìn)入照明領(lǐng)域,但還是出現(xiàn)了不少問題,主要是能效、可靠性、光色質(zhì)量以及成本等問題。有關(guān)能效和光色質(zhì)量所涉及的內(nèi)容很豐富,比如視覺舒適度、智能化調(diào)光控制等,在此我們暫不描述。本文將討論急需解決的主要技術(shù)問題,歸結(jié)為“三高一低”,即高光效、高顯色性、高可靠和低成本的技術(shù)問題,實(shí)現(xiàn)低成本其實(shí)質(zhì)上也是技術(shù)問題。解決這四大技術(shù)問題,需要在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上采取一系列措施,比如采用新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料等,這里只提及應(yīng)該采取的技術(shù)路線和方向,希望對LED企業(yè)的產(chǎn)品創(chuàng)新有所幫助。

      一、如何實(shí)現(xiàn)高光效

      半導(dǎo)體照明的光效,或者說能效,是節(jié)能效果的重要指標(biāo)。目前LED器件光效產(chǎn)業(yè)化水平可達(dá)120~140lm/W,作成照明燈具總的能效可大于100lm/W。這還是不高,節(jié)能效果不明顯,離半導(dǎo)體器件光效理論值250lm/W還有很大距離。真正要做到高光效,要從產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上解決相關(guān)的技術(shù)問題,主要是提高內(nèi)量子效率、外量子效率、封裝出光效率和燈具效率,本文將針對外延、芯片,封裝,燈具等幾個環(huán)節(jié)要解決的技術(shù)問題探討。

      1. 提高內(nèi)量子效率和外量子效率

      主要采取以下幾點(diǎn)措施來提高內(nèi)量子效率和外量子效率。

     ?。?)襯底表面粗化及非極性襯底

      采用納米級圖型襯底、“取向型”圖型襯底或非極性、半極性襯底生長GaN,減少位錯和缺陷密度及極性場影響,提高內(nèi)量子效率[1]。

     ?。?)廣義同質(zhì)襯底

      采用HVPE(氫化物液相外延)在Al2O3藍(lán)寶石襯底上生長GaN,作為混合同質(zhì)襯底GaN/Al2O3,在此基礎(chǔ)上外延生長GaN,可極大地降低位錯密度達(dá)106~107cm-2,并較大地提高內(nèi)量子效率。日亞、Cree及我國北大均在研發(fā)之中[2]。

     ?。?)改進(jìn)量子阱結(jié)構(gòu)

      控制In組分的變化方式和變化量、優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)提高電子和空穴交疊幾率,增加幅射復(fù)合幾率以及調(diào)節(jié)非平衡載流子的輸運(yùn)等,提高內(nèi)量子效率。

     ?。?)采用新結(jié)構(gòu)的芯片

      采用新結(jié)構(gòu)要求芯片六面出光,在芯片界面上采用新技術(shù)進(jìn)行多種表面粗化方式,減少光子在芯片界面上反射幾率,并增加表面透光率,以提高芯片的外量子效率。

     2. 提高封裝出光效率及降低結(jié)溫
      (1)熒光粉效率及涂覆工藝

      熒光粉的光激發(fā)效率目前還不高,黃粉可達(dá)70%左右,紅粉和綠粉的效率較低,有待進(jìn)一步提高。另外,熒光粉的涂覆工藝非常重要,有報(bào)道稱在芯片表面均勻涂復(fù)60微米厚度的熒光粉,激發(fā)效率較高。

      (2)COB封裝

      當(dāng)前半導(dǎo)體照明的光源采用各種形式COB封裝,提高COB封裝的出光效率是當(dāng)務(wù)之急,有報(bào)道稱,采用第二代(有的稱第三代)COB矩陣式結(jié)構(gòu)封裝,其光效可達(dá)120lm/W以上。如果采用倒裝芯片和六面發(fā)光體進(jìn)行全反射的結(jié)構(gòu),光效可達(dá)160lm/W以上。

      (3)降低結(jié)溫

      結(jié)溫為25℃時(shí)的發(fā)光量設(shè)為100%,當(dāng)結(jié)溫上升至60℃時(shí)其發(fā)光量只有90%,當(dāng)上升至140℃時(shí)只有70%,所以在封裝時(shí)要加大散熱措施,保持較低結(jié)溫,維持較高的發(fā)光效率。

      3. 提高燈具的取光效率

      不同LED燈具的效率相差很大,一般LED燈具效率大于80%,有一部分可大于90%。要根據(jù)LED光源的特點(diǎn)以及不同的應(yīng)用場合,對燈具進(jìn)行精細(xì)的二次光學(xué)設(shè)計(jì),也要考慮燈具散熱和眩光問題,提高LED燈具的取光效率。‖

      二、實(shí)現(xiàn)高顯色性

      白光LED的光色質(zhì)量內(nèi)容很多,包括色溫、顯色性、光色保真度、光色自然度、色調(diào)識別度、視覺舒適度等[3]。美國SSL計(jì)劃提出,LED照明產(chǎn)品的光譜分布要達(dá)到類似太陽光的光譜分布。要達(dá)到上述這些要求是很難的,要做很多基礎(chǔ)研究工作,將來一定會實(shí)現(xiàn)。這里只討論目前急需解決的色溫和顯色性問題。美國能源之星標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,室內(nèi)照明的顯色指數(shù)CRI≥80,但在一些高端的應(yīng)用場合要求CRI≥90。制作高顯色性LED光源,會損失較多的光效,所以在設(shè)計(jì)時(shí)要照顧這兩方面因素。

      在此有必要說明一下有關(guān)顯色指數(shù)CRI的評價(jià)問題[4],CIE(TC1-62)技術(shù)報(bào)告177的結(jié)論:“CIE的CRI不適合用于表示白光LED光源的顯色范圍”。現(xiàn)在有很多種針對CRI定標(biāo)提出的修正辦法,如CQS色品質(zhì)度、GAI全色域指數(shù)、RF夫勒特利指數(shù)、CPI顏色偏愛指數(shù)、CDI色分辨指數(shù)等,目前CIE要采用哪一種修正尚未定論。美國NIST(國家標(biāo)準(zhǔn)研究院)提出采用CQS來評價(jià)光源顏色的質(zhì)量,將測試樣品擴(kuò)大到15種,包含部分高色飽和度的樣品,這樣就好得多,很多人給予認(rèn)同。要提高顯色性,原則上要考慮RGB三基色組合來實(shí)現(xiàn),目前有三種辦法。

    (1)多基色熒光粉
      LED光源采用LED藍(lán)光芯片加鋁酸鹽黃粉和氮化物紅粉、綠粉組合成LED白光,其顯色指數(shù)CRI可達(dá)80~90。據(jù)有關(guān)報(bào)道,如采用RGBY熒光粉有效組合,其CRI可達(dá)98。

      (2)RGB多芯片組合

      采用RGB多芯片有效組合的LED白光,顯色指數(shù)CRI也可達(dá)80~90,可能由于驅(qū)動方式和成本等因素,目前較少應(yīng)用。

      (3)熒光粉加芯片

      LED光源采用藍(lán)光芯片加鋁酸鹽黃粉加紅色芯片,有效組合LED白光,其顯色指數(shù)可達(dá)80以上,光效較高,成本尚可,是目前普遍采用的組合方式。

      三、提高可靠性

      LED器件及光源(燈具)的可靠性、失效率、壽命等指標(biāo),在實(shí)際應(yīng)用中存在不同的理解和描述,有必要作些解釋。

      1. 可靠性

      可靠性是指產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力[5]。LED失效類別主要有嚴(yán)重失效(指關(guān)鍵參數(shù)改變至LED不亮)和參數(shù)失效(指光電參數(shù)由初始值變化至超一定限度)。失效曲線包括早期失效(在使用初期失效率高,隨后迅速下降)、偶然失效(失效率低,但很穩(wěn)定)和耗損失效(隨使用時(shí)間愈長,耗損失效不斷上升)。

      2. 壽命

      壽命是產(chǎn)品可靠性的表征值。由于產(chǎn)品所規(guī)定各種壽命的含義不同,容易造成混淆,在此作具體描述。有關(guān)壽命的描述有很多種,這里列舉10種不同含義的壽命,即:壽命、平均壽命、中位壽命、特征壽命、預(yù)期壽命、可靠壽命、工作壽命、光通維持壽命、平均無故障工作時(shí)間和平均失效前工作時(shí)間等。其中LED壽命的常用表述有:

      壽命:一般指統(tǒng)計(jì)平均值,對大量元器件而言,LED器件的壽命就是采用這種描述的含義。

      工作壽命:指LED產(chǎn)品的有效工作時(shí)間,不同于一般的壽命。

      中位壽命:有50%的燈具(光源)其光通量下降至某一定值(如初始值的70%)的時(shí)間定為中位壽命L70/B50,部分照明燈具的標(biāo)準(zhǔn)是采用中位壽命表述。

    光通維持壽命:指發(fā)光器件(LED)或燈具(光源)的光通量下降至某一定值的時(shí)間,稱為光通維持壽命(此時(shí)不考慮色參數(shù)的變化)。
      IEC及能源之星的表述:

      IEC組織提出用維持率來說明失效率、壽命、預(yù)期壽命等。

      EPA(美國國家環(huán)境保護(hù)局)公布:能源之星燈具V1.0技術(shù)規(guī)范“技術(shù)中立”,規(guī)定匹配燈具壽命為1萬小時(shí)即額定光通維持率壽命,集成LED燈具要求1.5萬~2.5萬小時(shí)。

      能源之星標(biāo)準(zhǔn)提出LED光源(燈具)在加額定電流6000小時(shí)后,測量產(chǎn)品的光通維持率,并推算產(chǎn)品的工作壽命(指有效的工作時(shí)間)同時(shí)要求在全壽命期內(nèi)色空間均勻度在CIE1976u′v′圖中0.006以內(nèi)。這個辦法得到行業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)同,但具體操作很難,因?yàn)樾枰?50天以上的試驗(yàn)時(shí)間,在企業(yè)中很難執(zhí)行。

      3. 提高可靠性

      提高LED可靠性是行內(nèi)共同努力的目標(biāo)。有關(guān)影響LED產(chǎn)品可靠性的各種因素,如芯片制造、封裝、熱阻、散熱等,以前做了較詳細(xì)描述[6],在此希望企業(yè)對LED產(chǎn)品在執(zhí)行全面質(zhì)量控制的基礎(chǔ)上,再作如下兩點(diǎn)要求:

     ?。?)減少失效率

      目前在實(shí)際應(yīng)用中,經(jīng)常出現(xiàn)產(chǎn)品失效,有的甚至很嚴(yán)重。希望相關(guān)單位能通過各種試驗(yàn),找出失效的原因,并采取有效的工藝篩選辦法,剔除早期失效和偶然失效的不良產(chǎn)品,在使用中盡可能減少失效率。

     ?。?)延長耗損失效時(shí)間

      希望相關(guān)企業(yè)對典型的LED產(chǎn)品進(jìn)行長時(shí)間老化試驗(yàn)(或加速老化試驗(yàn)),通過分析找出產(chǎn)品耗損失效的原因,并在工藝、選材等各方面加以改進(jìn),延長耗損的時(shí)間,這也是提高LED壽命的有效辦法。

      四、降低成本

      目前LED各種產(chǎn)品還沒有大規(guī)模生產(chǎn)推廣應(yīng)用,主要問題是價(jià)格過高,LED產(chǎn)品不能長期靠補(bǔ)貼來發(fā)展,要不斷努力降低成本。全球相關(guān)部門單位都在關(guān)注降低LED產(chǎn)品成本,比如美國SSL計(jì)劃2015年LED光源(燈具)成本要達(dá)2美元/klm。我國也提出2015年LED光源(燈具)成本要在15元/klm之內(nèi)。臺灣地區(qū)也提出在2014年之前可實(shí)現(xiàn)2美元/klm目標(biāo)。要降低成本,除了大批量生產(chǎn)外,主要從技術(shù)上采取措施降低成本的方法、途徑。

      降低成本要從LED產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)上著手,共同努力,首先分析LED產(chǎn)品的成本結(jié)構(gòu)大約是4:4:2,即光源占40%、驅(qū)動和散熱占40%、其他占20%,主要環(huán)節(jié)是外延芯片、封裝、驅(qū)動、散熱等方面成本有較大的下降空間,要從技術(shù)上采取有效措施,從根本上解決LED產(chǎn)品的成本問題。‖

    1. 外延芯片環(huán)節(jié)降低成本的方法探討
      目前LED產(chǎn)品的芯片占成本的40%左右,降低芯片的成本是最重要的任務(wù)。

      世界主要外延生產(chǎn)廠家Veeco提出,對現(xiàn)有MOCVD的設(shè)備、工藝、架構(gòu)改進(jìn),提高量產(chǎn)效率,至2014年外延片價(jià)格達(dá)0.2美元/cm2。(2009年1美元/cm2)

      采用4″及6″的MOCVD設(shè)備以及配套的芯片制造設(shè)備,使外延、芯片產(chǎn)能的效率大幅度提高,從而降低外延芯片的成本。

      目前全世界很多有實(shí)力的公司正在研發(fā)在8″硅片上直接生長GaN,并取得可喜成果。最近歐司朗發(fā)布在6″硅片上生長GaN芯片,面積1mm2,在350mA下,色溫4500K時(shí),光效可達(dá)127lm/W,需2年后投放市場。估計(jì)采取該方法生產(chǎn)可降低芯片成本50%。

      開發(fā)同質(zhì)廣義外延,采用HVPE液相外延生長GaN襯底。在此生長GaNLED產(chǎn)品,既能提高LED性能,又能大幅度降低外延芯片成本,采用該方法生產(chǎn),可大幅度縮短外延生長時(shí)間,同時(shí)可以大量節(jié)省MO源,據(jù)估算可降低芯片成本50%。

      LED器件采用大電流密度下工作,如面積為1mm2芯片,一般工作電流是350mA,國外幾家大公司均已開發(fā)可提供工作電流在1~2A下工作的功率LED器件,這樣用一只芯片可獲光通量達(dá)400~500lm,當(dāng)然會損失部分光效,他們已經(jīng)較好地解決了Droop現(xiàn)象,在獲得同樣光通量下,可較大降低芯片成本。

      2. 封裝環(huán)節(jié)降低成本的方法探討

      半導(dǎo)體照明所用的光源將采用COB及模塊封裝形式,這樣將極大地降低LED光源封裝成本。

      LED光源采用COB封裝形式,目前主要是采用中功率多芯片、矩陣式集成封裝,號稱第三代COB封裝形式,且有很多不同的結(jié)構(gòu)類型,如MCOB、COFB、MCOMB等,并可降低封裝成本30%,目前國內(nèi)已開發(fā)一種球泡燈,采用9只中功率芯片集成COB封裝,體積小、不帶散熱片,功率為7W,光通量可達(dá)500~700lm,其成本只有16元。

      模塊化標(biāo)準(zhǔn)封裝LED產(chǎn)品,這將是半導(dǎo)體照明光源的發(fā)展方向。它是將芯片、驅(qū)動、控制部分、散熱、零件等封裝在一起形成模塊,并進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn),可用于不同照明燈具產(chǎn)品,可極大地降低封裝成本,據(jù)測算可降低封裝成本50%,各主要廠商均積極投入研發(fā)之中。Zhaga聯(lián)盟已著手制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),主要是光引擎界面接口標(biāo)準(zhǔn),它將涵蓋物理尺寸以及光引擎的光學(xué)、電氣和熱特性等,最終實(shí)現(xiàn)聯(lián)盟內(nèi)不同制造商之間的產(chǎn)品兼容性、互換性。

      3. 燈具環(huán)節(jié)降低成本的方法

      在保障二次光學(xué)設(shè)計(jì)出光效率和散熱性能的前提下,采用新材料、新的照明方式等,設(shè)計(jì)制作輕便、美觀、價(jià)廉的新燈具,從而降低燈具成本。此外,目前國產(chǎn)電源的性能和可靠性有較大提高。在此基礎(chǔ)上采取有效的技術(shù)措施,可較大幅度降低電源成本,從目前2.5~3元/W降至1.5~2元/W。

    4. 其他配套成本的降低

      MOCVD外延爐和芯片制造設(shè)備,如能國產(chǎn)化,會較大幅度降低芯片制造成本。LED產(chǎn)品的檢測設(shè)備,特別是光學(xué)檢測設(shè)備,還有降低成本的空間。此外關(guān)鍵原材料國產(chǎn)化也有利于降低成本,其中,Al2O3藍(lán)寶石襯底國產(chǎn)化,已降價(jià)不少。外延用的MO有機(jī)源,現(xiàn)有部分國產(chǎn)化,也有降價(jià)的余地。封裝用的熒光粉等國產(chǎn)化,均有較大降價(jià)的余地。

      總體而言,除了通過上述所說的采用新技術(shù)、新工藝、新結(jié)構(gòu)、新材料等措施來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的高光效、高顯色性、高可靠性和低成本之外,從深層次上來看,應(yīng)該著重將提高能效和光色質(zhì)量作為LED照明的更高要求,即LED白光的光譜分布類似太陽光的光譜分布,要充分考慮視覺舒適度、人性化的照明等,并進(jìn)行智能化調(diào)光控制,減少電能損耗,提高節(jié)能效果,使半導(dǎo)體照明真正為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。

     

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